NAIT XS3

Nuestro equipo de I+D ha realizado mejoras significativas en el rendimiento del NAIT XS 3. Hemos duplicado la velocidad de la etapa de ganancia de tensión, lo que duplica la velocidad a la que puede reaccionar la etapa de salida del altavoz. Los transistores de la segunda etapa de ganancia se han optimizado, eliminando la necesidad de un transistor de etapa en cascada, lo que significa que se necesita menos estabilización del amplificador, duplicando la velocidad de giro y mejorando la calidad del sonido.

Nuestra topología de circuito de fono consta de tres etapas, lo que se traduce en un rendimiento de ruido excepcional, una ecualización RIAA ampliada más allá de la banda de audio y un gran margen de sobrecarga. Todos los condensadores de ecualización RIAA son diseños de película montados en orificios pasantes para proporcionar una baja captación microfónica y un excelente rendimiento transitorio. Nuestra impedancia de entrada es de 47kΩ en paralelo con una carga capacitiva de 470F, y nuestra ganancia es perfecta para cartuchos de imán móvil de 5mV.